უფრო მეტიც, როგორც მათ აჩვენეს ჟურნალ Nature-ში გამოქვეყნებულ ნაშრომში „Direct bandgap emission from hexagonal germanium and silicon-germanium alloys“-ში, მათ შეძლეს.რადიაციის ტალღის სიგრძე მუდმივად რეგულირდება ფართო დიაპაზონში.მათი თქმით, ამ ახალმა აღმოჩენებმა შეიძლება დაუშვას ფოტონიკური ჩიპების განვითარება უშუალოდ სილიკონ-გერმანიუმის ინტეგრირებულ სქემებში.
SiGe შენადნობების პირდაპირი ზოლის ემიტერებად გადაქცევის გასაღები არის გერმანიუმის და გერმანიუმ-სილიციუმის შენადნობების მიღება ექვსკუთხა გისოსებით.ეინდჰოვენის ტექნიკური უნივერსიტეტის მკვლევარებმა მიუნხენის ტექნიკური უნივერსიტეტისა და იენისა და ლინცის უნივერსიტეტების კოლეგებთან ერთად გამოიყენეს სხვადასხვა მასალისგან დამზადებული ნანომავთულები ექვსკუთხა ზრდის შაბლონებად.
შემდეგ ნანომავთულები ემსახურება გერმანიუმ-სილიკონის ჭურვის შაბლონებს, რომელზედაც დაფუძნებული მასალა აწესებს ექვსკუთხა კრისტალურ სტრუქტურას.თუმცა, თავდაპირველად, ამ სტრუქტურებს არ შეეძლოთ აღელვებული შუქის გამოსხივება.მიუნხენის ტექნიკური უნივერსიტეტის უოლტერ შოთკის ინსტიტუტის კოლეგებთან იდეების გაცვლის შემდეგ, მათ გააანალიზეს თითოეული თაობის ოპტიკური თვისებები და საბოლოოდ მოახდინეს წარმოების პროცესის ოპტიმიზაცია იქამდე, რომ ნანომავთულები რეალურად ასხივებდნენ შუქს.
„ამავდროულად, ჩვენ მივაღწიეთ თითქმის ინდიუმის ფოსფიდს ან გალიუმის არსენიდს,“ - ამბობს პროფესორი ერიკ ბეკერსი ეინდჰოვენის ტექნოლოგიური უნივერსიტეტიდან.მაშასადამე, გერმანიუმ-სილიციუმის შენადნობებზე დაფუძნებული ლაზერების შექმნა, რომლებიც შეიძლება ინტეგრირებული იყოს ჩვეულებრივ წარმოების პროცესებში, შეიძლება მხოლოდ დროის საკითხი იყოს.
„თუ ჩვენ შევძლებთ შიდა და ჩიპებს შორის ელექტრონული კომუნიკაციის უზრუნველყოფას, სიჩქარე შეიძლება გაიზარდოს 1000-ჯერ“, - თქვა ჯონათან ფინლიმ, ნახევარგამტარული კვანტური ნანოსისტემების პროფესორმა TUM-ში.შეუძლია მნიშვნელოვნად შეამციროს ლაზერული რადარების რაოდენობა, ქიმიური სენსორები სამედიცინო დიაგნოსტიკისთვის და ჩიპები ჰაერისა და საკვების ხარისხის გასაზომად.
ჩვენი კომპანიის მიერ დამდნარ სილიკონის გერმანიუმის შენადნობას შეუძლია მიიღოს მორგებული პროპორციები
გამოქვეყნების დრო: ივნ-21-2023