ვაკუუმური საფარის პრინციპი

ვაკუუმური საფარი გულისხმობს აორთქლების წყაროს გაცხელებას და აორთქლებას ვაკუუმში ან აორთქლებაში დაჩქარებული იონური დაბომბვით და მისი დეპონირება სუბსტრატის ზედაპირზე ერთი ფენის ან მრავალშრიანი ფირის შესაქმნელად.რა არის ვაკუუმური საფარის პრინციპი?შემდეგ მას RSM-ის რედაქტორი გაგვაცნობს.

　　1. ვაკუუმური აორთქლების საფარი

აორთქლების საფარი მოითხოვს, რომ ორთქლის მოლეკულებს ან ატომებს შორის მანძილი აორთქლების წყაროდან და დასაფენ სუბსტრატს შორის უნდა იყოს ნაკლები, ვიდრე ნარჩენი გაზის მოლეკულების საშუალო თავისუფალი გზა დაფარვის ოთახში, ისე, რომ უზრუნველყოფილი იყოს, რომ ორთქლის მოლეკულები აორთქლებამ შეიძლება მიაღწიოს სუბსტრატის ზედაპირს შეჯახების გარეშე.დარწმუნდით, რომ ფილმი სუფთა და მყარია და აორთქლება არ დაიჟანგება.

　　2. ვაკუუმური დაფრქვევის საფარი

ვაკუუმში, როდესაც აჩქარებული იონები ეჯახება მყარს, ერთის მხრივ, კრისტალი ზიანდება, მეორე მხრივ, ისინი ეჯახებიან ატომებს, რომლებიც ქმნიან კრისტალს და ბოლოს ატომებს ან მოლეკულებს მყარის ზედაპირზე. ცურვის გარეთ.დაფხვნილი მასალა იდება სუბსტრატზე, რათა წარმოიქმნას თხელი გარსი, რომელსაც ეწოდება ვაკუუმური დაფქვა.არსებობს მრავალი მეთოდი, რომელთა შორის დიოდური დაფქვა არის ყველაზე ადრეული.სხვადასხვა კათოდური სამიზნეების მიხედვით, ის შეიძლება დაიყოს პირდაპირ დენად (DC) და მაღალ სიხშირედ (RF).ატომების რაოდენობას, რომლებიც დაფხეკებულნი არიან სამიზნე ზედაპირზე იონთან ზემოქმედების შედეგად, ეწოდება დაფრქვევის სიჩქარე.მაღალი sputtering სიჩქარე, ფილმის ფორმირების სიჩქარე არის სწრაფი.დაფრქვევის სიჩქარე დაკავშირებულია იონების ენერგიასთან და ტიპთან და სამიზნე მასალის ტიპთან.ზოგადად რომ ვთქვათ, ჭურჭლის სიჩქარე იზრდება ადამიანის იონის ენერგიის მატებასთან ერთად, ხოლო ძვირფასი ლითონების დაფრქვევის სიჩქარე უფრო მაღალია.