რა არის პოლისილიკონის სამიზნე

პოლისილიციუმი მნიშვნელოვანი სამიზნე მასალაა.SiO2-ისა და სხვა თხელი ფენების მოსამზადებლად მაგნეტრონული დაფქვის მეთოდის გამოყენებამ შეიძლება მატრიცის მასალას ჰქონდეს უკეთესი ოპტიკური, დიელექტრიკული და კოროზიის წინააღმდეგობა, რაც ფართოდ გამოიყენება სენსორულ ეკრანებში, ოპტიკურ და სხვა ინდუსტრიებში.

გრძელი კრისტალების ჩამოსხმის პროცესი გულისხმობს თხევადი სილიციუმის მიმართული გამაგრების განხორციელებას ქვემოდან ზემოდან თანდათანობით, გამაცხელებლის ტემპერატურის ზუსტი კონტროლით ღუმელის ცხელ ველში და თბოიზოლაციის მასალის სითბოს გაფრქვევას. გამაგრების გრძელი კრისტალების სიჩქარეა 0,8-1,2 სმ/სთ.ამავდროულად, მიმართულების გამაგრების პროცესში შეიძლება განხორციელდეს ლითონის ელემენტების სეგრეგაციის ეფექტი სილიკონის მასალებში, ლითონის ელემენტების უმეტესი ნაწილი შეიძლება გაიწმინდოს და ჩამოყალიბდეს ერთიანი პოლიკრისტალური სილიციუმის მარცვლოვანი სტრუქტურა.

ჩამოსხმის პოლისილიკონი ასევე საჭიროებს განზრახ დოპინგის წარმოების პროცესში, რათა შეიცვალოს მიმღები მინარევების კონცენტრაცია სილიციუმის დნობაში.ინდუსტრიაში p-ტიპის ჩამოსხმული პოლისილიკონის მთავარი დოპანტი არის სილიციუმის ბორის მასტერ შენადნობი, რომელშიც ბორის შემცველობა არის დაახლოებით 0,025%.დოპინგის რაოდენობა განისაზღვრება სილიკონის ვაფლის სამიზნე რეზისტენტობით.ოპტიმალური წინაღობა არის 0,02 ~ 0,05 Ω • სმ, ხოლო ბორის შესაბამისი კონცენტრაცია არის დაახლოებით 2 × 1014 სმ-3. თუმცა, ბორის სეგრეგაციის კოეფიციენტი სილიციუმში არის 0,8, რაც აჩვენებს გარკვეულ სეგრეგაციის ეფექტს მიმართულების გამაგრების პროცესში, რომელიც არის, ბორის ელემენტი ნაწილდება გრადიენტში ჯოხის ვერტიკალური მიმართულებით და წინაღობა თანდათან მცირდება ჯოხის ქვემოდან ზევით.